场效应管测试仪/MOS管测试仪 型号：ZRX-17445

率场效应管测试仪，是种数字显示式率场效应管参数测试装置，可用于标称 电流约在2-85A，率在300W以内的N沟导率场效应管主要参数的测试。它可以准确测量击穿电压 VDSS、栅开启电压VGS（th）和放大特性参数跨导Gfs，尤其是跨导Gfs的测试电流可以达到50A，由于采 用脉冲电流测试法，即使在大电流测试时也不会对被测器件成何损坏，更可以在大电流状态下对场效 应管行参数致性的测试（配对）；仪器*可用于同等电流等级的IGBT参数的测量；仪器还是台性 能十分优越的电子元器件耐压测试装置，其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA 三挡可以选择。仪器 主要用于率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子元器件的耐压测试之用。仪器分N沟导型 测试仪和P沟导型测试仪两种。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安方便。

1、击穿电压VDSS测量范围： 0—1999V， 度：≤2.5% 。
2、IDSS可分三挡选择： 1mA、250uA、25uA 。
3、栅开启电压VGS（th） 测量范围： 0—10V。 度：≤5% 。
4、Gfs跨导测试电流Idm：不小于1—50 A连续可调， 度：≤10 % 。
5、Gfs跨导测试范围：1—100 。

1、率场效应管的击穿电压VDSS、栅开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。
2、IGBT的击穿电压V(BR)ces、栅开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。
3、率场效应管和IGBT在50A以下的意电流状态下致性的测试，可用于配对。
4、对其它更大电流和率的场效应管及IGBT的测试：（见下面介绍）。
5、各类晶体三管、二管、稳压管击穿电压的测试。
6、压敏电阻电压的测试等。