中瑞祥厂家场效应管测试仪使用方法注意事项
注意事项
1、开机前应把Idm开关和压开关拨在OFF 位上。
2、测量Idm 和Gfs 时须插好被测管,夹好S2 夹头后方可打开 Idm 测量开关,测量毕后须关断Idm开关,才可松开S2 鳄鱼夹头。不允许在没有关闭Idm开关时就去松开S2 鳄鱼夹头,这样会产生大电流火花,很容易损坏被测器件。
3、测量 Idm1 时电流表读数可能会有飘移,电流越大相对飘移也越大,这是被测管发热所至,系正常现象,可以采用快速读数或等其热稳定后再读数(用于大电流致性测量时更需要采用快数读数的方法)。 般N 沟导管电流的热飘移,数字表读数会逐渐增大;P 沟导管的热飘移,数字表读数会逐渐减小。 若被测管在测试Idm1 电流时数字表尾数读数无规则的波动,不同于热飘移,则应考虑可能是该器件内噪声过大所致。
4、标称电流大的器件在 Idm1 电位器调节时,电流会调节到80A 以上,但这个电流值并不适宜用作跨导的测量,也不适宜用作大电流的致性配对,因为在电流过 60A 后测量误差将明显增加,测量的读数也变的很不稳定。
5、测量VDSS 和VGS(th)时,压开关须拨在OFF 位上,测量时须采用VDSS 和 VGS(th)按钮测量。
6、当Idm电流过约30A 左右时,仪器内可能会产生轻微的哒、哒、哒的声音,系正常现象。
7、测试盒的插座系易损品,使用中应轻插轻拔,要尽可能的延长插座的使用寿命,禁止管脚十分毛糙的器件插入管座中,对这些管脚毛糙的器件应整平打光后再测试,但采用测试线测量法(测试线测量法见附图)。 仪器的附件中有四个插座附件,损坏后可按测试盒接线图自行更换,插座附件系通用接插件,用后可以到电子市场购买。
8、两根粗的测试线上的香蕉插头和鳄鱼夹头,须有良好的弹性,以保持较小的接触电阻,当弹性减弱时须行修理或更换。
9、仪器使用毕后应把Idm开关和压开关拨在OFF 位上。
使用方法
打开电源开关前应检查:Idm开关和压开关应拨在OFF 位置上。
1、塑封率场效应管的测试: 按五条:“测试盒和附加测试线"的说明,连接好场效应管专用测试盒和专用的两根粗的附加测试线。
(1)、击穿电压 VDSS 和栅开启电压 VGS(th)的测量:根据被测管测量 VDSS 和 VGS (th)的术条件,选择好Idss 开关上的电流值(在不知道测试条件时般是MOS 率场效应管选择250uA,IGBT 选择1mA)。把压开关拨至ON,调节“压调节"电位器使数字表显示在大于被测器件击穿电压的 130[%]-150[%]左右,测试时只要击穿示灯亮了就说明电压已经够了,反之则再调些也无仿,注意:调好后须把“压"开关关断(OFF 位置上)。
把被测的场效应管插入VDSS /VGS(th)测试座(注意:不管是TO-220 或TO-3P 封装的,都须把中间的D 对应的插入插座中间孔“D"中)。若测VDSS 则把测试盒右测开关拨至 VDSS 位,然后按下仪器右下方的 VDSS 按钮,电压表立即显示该被测管的击穿电压值。再把测试盒开关拨至VGS(th)位,按下仪器右下方的VGS(th)按钮,电压表立即显示该被测管的栅开启电压值,般在2 - 6V 范围内。
例:IRFZ44N测试VDSS 和VGS(th)时的Idss 电流要求为250uA,所以把Idss 开关拨至250uA, 把测试盒开关拨至VDSS,按下VDSS 测量按钮,电压表显示为60V,再把测试盒开关拨至 VGS(th),按下VGS(th)测量按钮,电压表显示为2.5V。 测试结果为:击穿电压VDSS = 60V,栅开启电压VDS(th) = 2.5V 。
(2)、跨导Gfs 的测试:测试跨导Gfs 时须使用两根粗的附加测试线,并根据五条3 点的要求连接好,测试前仪器右上角的Idm开关须拨在OFF 上。 插上被侧管,并把S2 线的鳄鱼夹头,夹住被测管的S1 脚根(注意:不要和D 短路)。把Idm开关拨至ON,会看到短路示灯亮后即灭,机内的蜂鸣器响后又停,属正常现象。 后调节脉冲电流Idm1 粗调和细调电位器,至被测场效应管测试Gfs 参数时的电流值,当数字基本稳定后按下脉冲电流 Idm2 测试按钮,并读取电流值。(分常用率场效应管的测试参数请参照后面的参数表)
本仪器跨导Gfs 的计算方法:S = (Idm2 - Idm1)×10,般用心算即可读取。
例:IRFZ44N 测试跨导时的标准电流要求为25A,则粗细调节Idm1 为25.0A,当按下Idm2 按钮时电流显示为27.3A,则该管的跨导S = (27.3 - 25.0)×10 = 23 。 测试毕后须把Idm开关关断(拨至OFF)方可更换另管子。 正宗某公司生产的同型号同批次的管子,其跨导参数的离散性般较小,测试时用抽检方式即可。
(3)、大电流条件下 ID 致性测试(即配对):该方法主要用于批同型号同的场效应管,在栅压不变的条件下,测试其大电流ID 的致性。 由于率场效应管在同栅压条件下输出的ID 值往往有很大的离散性,即使是同公司生产的同批次管子也不能保证其 ,对于不同公司生产的同型号管子其 ID 的差别有时候会相差很大,所以大电流条件下ID 致性测试,是用于多个并联应用或推挽应用电路中很重要的步。(测试操作方法同跨导测试法的Idm1 电流测量)。 致性测试前请选择好参考样管。
2、塑封率IGBT 管的测试: 塑封率IGBT 管的测试方法和测试率场效应管相同,所不同的仅是引出脚的名称和被测参数的符号有区别。
( 率场效应管 ) (IGBT 管) 漏源击穿电压:VDSS 集发击穿电压: V(BR)CES 栅开启电压:VGS(th) 栅开启电压: VGE(th) 漏源漏电流:Idss 集发漏电流:Ices 漏电流:ID 集电电流:IC 跨导:Gfs 跨导:Gfs 漏:D 集电:C 栅:G 栅:G 源 : S 发射:E
3、其它封装形式的率场效应管及IGBT 管的测试: 本仪器提供的测试盒主要用于TO-126、TO-220、TO-3P 等封装形式的场效应管和IGBT 管的测试用,对于非上述封装形式的器件(包括模块型),本仪器提供有测试线,也同样可以行参数的测量,具体的连接方法请参照“测试线测量法连接图"。
4、其它更大标称电流和率的场效应管及IGBT 的测试: 虽然本仪器对器件的标称电流和率的测量范围界定在约85A/300W以内,那是根据器件厂家在术条件上所规定的测量要求而已,实际上当你所使用的器件出本仪器的界定范围以外时,仪器同样可以行Idm=50A 的条件下测试跨导参数,同样可以测量VDSS 和Vgs(th)。
5、各类晶体三管、二管击穿电压的测试,稳压管、压敏电阻电压的测试等: 测量各类晶体三管、二管的击穿电压,稳压管、压敏电阻电压时的方法请看“测试线测量法